Rozdělení elektronických pamětí

Paměti můžeme dělit z různých hledisek podle vlastností, materiálu, rychlosti a podobně.

Podle materiálu a fyzikálních principů

magnetické – založené na magnetických vlastnostech materiálu, informaci uchovává směr magnetizace.
optické – využívá optických vlastností materiálu, např. odraz světla.
polovodičové – využívá vlastností polovodičových tranzistorů, buď se realizují klopnými obvody (technologie TTL), nebo obnovováním elektrického náboje (CMOS)
magnetooptické – pomocí světla (laser) se mění magnetické vlastnosti materiálu
feritové – jako nosič jednoho bitu je používáno feritové jádro o rozměru cca 0,8 mm, magnetická orientace se překlápí proudovým impulsem (zastaralé)
paměť se zpožďovací linkou – využívá pomalejšího průchodu vlny speciálním prostředím

Podle závislosti na napájení

napěťově závislé (volatilní) – pro uchování a přístup k informacím potřebuje paměť napájecí napětí, při odpojení se informace ztrácí
napěťově nezávislé (nevolatilní) – potřebuje napájení pro činnost (čtení, zápis), ale při odpojení napájení se informace uchová

Podle přístupu

RAM (Random Access Memory) – s libovolným přístupem, doba přístupu k obsahu není závislá na umístění (adrese). Počítačové disky jsou považovány za paměti typu RAM, i když to není přesné.
sekvenční – doba přístupu k obsahu je závislá na umístění, například páska
asociativní – adresovaná obsahem, adresou je klíčová hodnota ukládaná s informací
sériový – například fronta FIFO

Podle schopnosti zápisu

RWM (Read Write Memory) – Paměť pro zápis i čtení (Termín RAM obvykle označuje tento typ paměti - název RWM se neuchytil).
ROM (Read Only Memory) – Paměť pouze pro čtení. Informace je do paměti uložena jednorázově při výrobním procesu.
PROM (Programmable Read Only Memory) – Paměť se vyrobí bez informace a pomocí speciálního zařízení (programátor) si ji naprogramuje uživatel.
EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) – Paměť je možné vymazat speciálním způsobem (např. ultrafialovým zářením) a znovu přeprogramovat.
WMM (Write Mostly Memory), někdy uváděna jako WOM (Write Only Memory) – Při provozu je používána jen pro zápis, informace je čtena jednorázově na konci provozního cyklu. Mívá speciální využití (černá skříňka).
WOM (Write Only Memory) – Nerealizované nesmyslné zařízení, jež se stalo součástí inženýrského folklóru.
EEPROM (E2PROM) (Electric Erasable PROM) – Obdoba EPROM, mazání však probíhá pomocí elektrického „impulsu,“ maže se buňka po buňce. Počet zápisů je omezen – cca 100 000 přepisů.
Flash EPROM (Paměť EPROM s rychlým mazáním) – Obdoba EEPROM, mazání však probíhá po blocích buněk. Lze ji smazat pouze celou (1ms) nebo po částech – ne po jednotlivých buňkách. Má výrazně omezený počet zápisů - cca 1000

Všechny paměti xROM jsou statické a Non-Volatile – jednou zapsaná informace zůstává trvale uložena. Volatilita je schopnost paměťové buňky udržet si informaci i bez napájení.

Podle určení

Vnitřní paměť (primární)
Akumulátor - registr v procesoru o velikosti délky slova CPU (8, 16, 32, 64 bitů), může být rychlejší než ostatní registry (kratší kód instrukcí). S akumulátorem pracuje většina instrukcí (aritmetické a logické operace)
Registry procesoru - několik (až desítky) registrů. Je to součást procesoru. Ukládá operandy a výsledky aritmetických a logických operací.Je to nejrychlejší paměť připojená k procesoru (stejně rychlá, jako procesor).
Cache - Používají se pro urychlení komunikace s pamětí. Mají rychlou statickou paměť. U novějších procesorů velikost stovky kB až MB. Obsahuje více úrovní, přičemž číslo určuje vzdálenost od procesoru.

[[1]]